Транзистор N-MOSFET WAYON WM03N01G, SOT323, 30V, 100mA, 60 шт.

Набір із 60 транзисторів WAYON WM03N01G типу N-MOSFET у корпусі SOT323. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та мають захист від електростатичного розряду (ESD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: SOT323, монтаж SMD
• Напруга стік-витік: 30 В
• Струм стоку: 100 мА (0,4 А в імпульсі)
• Захист ESD
• Кількість у наборі: 60 шт.

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а постійний струм стоку — 100 мА. У імпульсному режимі струм може досягати 0,4 А. Напруга на затворі обмежена ±20 В, а опір у відкритому стані дорівнює 2,5 Ом.

Монтаж та захист

Компоненти виконані у компактному корпусі SOT323 для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD забезпечує додатковий захист від електростатичного розряду, що важливо під час роботи з чутливими схемами. Потужність розсіювання становить 0,35 Вт, а заряд затвора — 540 пКл.