Транзистор WAYON WM02P30M P-MOSFET, SOT23, -20В, -3А, комплект 60 шт.

Транзистор WAYON WM02P30M — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Товар постачається комплектом із 60 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонтних робіт.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: -20 В
• Струм дрена: -3 А (постійний), -12 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 1 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 60 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -20 В та постійним струмом дрена -3 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -12 А, а розсіювана потужність становить 1 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 90 мОм, що забезпечує ефективну комутацію.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення дозволяє економити місце на друкованій платі та спрощує автоматизований монтаж.

Електричні характеристики та керування затвором

Заряд затвора становить 3,3 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Максимальна допустима напруга між затвором і джерелом — ±12 В, що визначає вимоги до схеми керування та захисту від перевантаження по напрузі затвора.