Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET WAYON WM02DN560Q, 20V, 56A, DFN3030-8, 30 шт.

2 080 ₴

  • В наявності
  • Код: TM037480
Транзистор N-MOSFET WAYON WM02DN560Q, 20V, 56A, DFN3030-8, 30 шт.
Транзистор N-MOSFET WAYON WM02DN560Q, 20V, 56A, DFN3030-8, 30 шт.В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Набір із 30 транзисторів WAYON WM02DN560Q — це подвійні N-MOSFET транзистори з корпусом DFN3030-8 для поверхневого монтажу (SMD). Транзистори мають напругу стік-джерело 20 В та номінальний струм стіка 56 А.

  • Подвійний N-MOSFET транзистор (N-MOSFET x2)
  • Напруга стік-джерело: 20 В
  • Струм стіка: 56 А (імпульсний до 100 А)
  • Корпус DFN3030-8, монтаж SMD
  • Захист від електростатичного розряду (ESD)
  • Комплект: 30 штук

Електричні характеристики

Транзистори мають напругу стік-джерело 20 В та номінальний струм стіка 56 А. У імпульсному режимі струм може досягати 100 А. Потужність розсіювання становить 31 Вт, а опір у відкритому стані — 5,4 мОм.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані в корпусі DFN3030-8. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Транзистори мають захист від електростатичного розряду (ESD).

Структура та керування

Це подвійні транзистори (N-MOSFET x2) зі спільним стоком та збагачувальним каналом. Напруга затвор-джерело становить ±12 В, а заряд затвора — 27,8 нКл. Поляризація транзисторів — уніполярна.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання31 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік12 В
Максимально допустима напруга стік-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку56 А
Опір у відкритому стані (Rds)5.4 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусDFN3030-8
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 080 ₴