Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор WAYON WM02DN110C, N-MOSFET x2, 20V, 11A, DFN2030-6 (WM02DN110C-CYG) — набір 50 шт.

2 220 ₴

  • В наявності
  • Код: TM079778
Транзистор WAYON WM02DN110C, N-MOSFET x2, 20V, 11A, DFN2030-6 (WM02DN110C-CYG) — набір 50 шт.
Транзистор WAYON WM02DN110C, N-MOSFET x2, 20V, 11A, DFN2030-6 (WM02DN110C-CYG) — набір 50 шт.В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Дуальний N-MOSFET транзистор WAYON WM02DN110C у корпусі DFN2030-6 для SMD-монтажу. Пристрій має спільний дрен і розрахований на струм 11 А та напругу 20 В.

  • Тип: N-MOSFET x2 (дуальний)
  • Напруга дрена-джерела: 20 В
  • Струм дрена: 11 А (імпульсний до 70 А)
  • Корпус: DFN2030-6 (SMD)
  • Опір у стані провідності: 7,5 мОм
  • Комплект: 50 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 20 В та постійним струмом дрена 11 А. Імпульсний струм може досягати 70 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Потужність розсіювання становить 1,56 Вт, а опір у стані провідності — 7,5 мОм. Напруга затвор-джерела становить ±12 В, а заряд затвора — 23 нКл.

Структура та тип каналу

Компонент є уніполярним із збагачуваним каналом. Структура напівпровідника передбачає спільний дрен для двох каналів. Версія ESD забезпечує захист від електростатичного розряду.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DFN2030-6 для поверхневого монтажу (SMD). Товар постачається набором із 50 штук.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання1.56 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік12 В
Максимально допустима напруга стік-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку11 А
Опір у відкритому стані (Rds)7.5 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті50 шт.
КорпусDFN2030-6
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 220 ₴