
Транзистор WAYON WM02DN080C, N-MOSFET x2, 20V, 8A, DFN2030-6 — набір 40 шт.
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM037478
Транзистор WAYON WM02DN080C — це подвійний N-MOSFET у корпусі DFN2030-6 для SMD-монтажу. Пристрій розрахований на напругу 20 В та струм 8 А.
- Подвійний N-MOSFET із спільним стоком
- Напруга стік-джерело 20 В, струм 8 А
- Імпульсний струм до 49 А
- Корпус DFN2030-6 для SMD-монтажу
- Опір у відкритому стані 15,5 мОм
- Набір із 40 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має структуру з спільним стоком (common drain) та збагачувальний канал. Максимальна напруга стік-джерело становить 20 В, а постійний струм стоку — 8 А. У імпульсному режимі струм може досягати 49 А. Опір у відкритому стані дорівнює 15,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у компактному корпусі DFN2030-6, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD передбачає захист від електростатичного розряду. Потужність розсіювання становить 1,56 Вт, а заряд затвора — 11 нКл.
Комплектація
Товар поставляється набором із 40 транзисторів. Напруга затвор-джерело становить ±12 В, а тип транзистора — N-MOSFET x2. Структура напівпровідника має спільний стік, а канал є збагачувальним. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | DFN2030-6 |
| Виробник | WAYON |
- Ціна: 2 300 ₴
