Діод Шоткі VISHAY VS-3C08ET07T-M3, SiC, 650 В, 8 А, TO220-2 (набір 10 шт.)

Діод Шоткі VISHAY VS-3C08ET07T-M3 — це напівпровідниковий компонент із технологією SiC. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі TO220-2 для монтажу на плату (THT).

• Максимальна зворотна напруга: 650 В
• Максимальний прямий струм: 8 А
• Імпульсний струм: 54 А
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Корпус: TO220-2, монтаж THT
• Кількість у наборі: 10 шт.

Висока напруга та струм

Діод розрахований на максимальну постійну зворотну напругу 650 В та максимальний прямий струм 8 А. Максимально допустимий прямий імпульсний струм становить 54 А.

Технологія SiC та низькі втрати

Використання карбіду кремнію (SiC) у структурі діода. Максимальна пряма напруга дорівнює 1,5 В, що характеризує падіння напруги на відкритому переході. Компонент має одиночну структуру (single diode).

Комплектація та монтаж

Товар постачається набором із 10 діодів у корпусі TO220-2. Тип монтажу — вивідний (THT), що вимагає пайки в отвори друкованої плати.