Транзистор N-MOSFET ROHM UM6K33NTN, SMD UMT6, 50В, 200мА (набір 60 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM UM6K33NTN — це подвійний польовий транзистор з каналом збагачення у компактному корпусі UMT6 для поверхневого монтажу (SMD).## Комплектація та призначення

• Подвійний N-MOSFET транзистор з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік 50 В
• Струм стіка 200 мА (0,8 А в імпульсі)
• Корпус UMT6 для поверхневого монтажу (SMD)
• Розсіювана потужність 0,15 Вт
• Набір із 60 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 50 В та постійний струм стіка 200 мА. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,8 А, а опір у відкритому стані становить 7,2 Ом. Максимальна розсіювана потужність обмежена 0,15 Вт,.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі UMT6 з типом монтажу SMD, що дозволяє розміщувати його на щільних друкованих платах. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду,.

Захист від електростатики (ESD) та монтаж у корпусі UMT6

У пакуванні міститься 60 транзисторів UM6K33NTN.