Транзистор N-MOSFET TSM900N06CW RPG, 60В, 7А, SOT223 (60 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM079458
Транзистор N-MOSFET TSM900N06CW RPG, 60В, 7А, SOT223 (60 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET TSM900N06CW RPG від TAIWAN SEMICONDUCTOR у корпусі SOT223. Це уніполярний компонент з каналом збагачення. Комплект містить 60 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 7 А
- Потужність розсіювання: 4,17 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектація: 60 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, що визначає межі робочого навантаження. Дозволений струм стоку — 7 А. Потужність розсіювання обмежена 4,17 Вт, тому при проєктуванні схеми важливо враховувати тепловий баланс.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT223 із технологією монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 4.17 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Виробник | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴