Транзистор N-MOSFET TSM850N06CX RFG, SOT23, 60V, 2.3A (60 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM079457
Транзистор N-MOSFET TSM850N06CX RFG, SOT23, 60V, 2.3A (60 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET TSM850N06CX RFG від Taiwan Semiconductor — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 60 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 2,3 А
- Потужність розсіювання: 0,3 Вт
- Опір у відкритому стані: 85 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Тип та канал провідності
Це уніполярний транзистор типу N-MOSFET з каналом збагачення. Напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Струм стіка дорівнює 2,3 А при потужності розсіювання 0,3 Вт. Опір у відкритому стані становить 85 мОм.
Заряд затвора
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж).
Корпус та монтаж
У наборі постачається 60 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴