Транзистор P-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM650P03CX RFG, SOT23, 60 шт.
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM079456
Транзистор P-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM650P03CX RFG, SOT23, 60 шт.В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM650P03CX RFG — це уніполярний компонент для монтажу на поверхню. Пакет містить 60 одиниць у корпусі SOT23.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна напруга: -30 В
- Струм витоку: -2,6 А
- Потужність розсіювання: 1,56 Вт
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні характеристики
Пристрій є P-канальним MOSFET збагаченого типу. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить -30 В, а струм витоку — -2,6 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 1,56 Вт, що відповідає компактному розміру корпусу.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, призначеному для технології SMD. Такий формат дозволяє розміщувати транзистори на друкованих платах із високою щільністю. Монтаж здійснюється за технологією SMD.
Комплектація
У наборі надано 60 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴