Транзистор N-MOSFET TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB380CP, 600В, 6А, DPAK (TSM60NB380CP-ROG) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB380CP — це напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Модель розрахована на високу напругу та струм.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 6 А
• Потужність розсіювання: 83 Вт
• Корпус: DPAK (SMD монтаж)
• Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Комплект: 20 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 600 В. Максимальний струм дрена становить 6 А, що забезпечує достатню потужність для багатьох застосувань. Ці параметри важливі для стабільної роботи силових ключів у складних електронних модулях.

Ефективне відведення тепла

Потужність розсіювання становить 83 Вт, що вимагає належного теплового режиму. Корпус DPAK з монтажем SMD забезпечує компактне розміщення на платі. Це критично для запобігання перегріву під час тривалих навантажень.

Технічні характеристики та монтаж

Транзистор має збагачуваний канал та полярність unipolarny, що визначає його робочі режими. Напруга між затвором і витоком становить ±30 В, а опір у стані провідності — 0,38 Ом. Заряд затвора дорівнює 19,4 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Монтаж виконується методом SMD у корпусі DPAK, що забезпечує компактність вузла. Товар постачається набором із 20 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту.