Транзистор P-MOSFET TSM2323CX RFG, SOT23, -20В, -4,7А, 0,8Вт (30 шт.)

Транзистор P-MOSFET TSM2323CX RFG від TAIWAN SEMICONDUCTOR у корпусі SOT23. Комплект із 30 штук призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга дрена-джерела: -20В
• Струм дрена: -4,7А
• Потужність розсіювання: 0,8Вт
• Опір у стані провідності: 39мОм
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела -20В та струм дрена -4,7А. Потужність розсіювання становить 0,8Вт, що відповідає стандартним вимогам для корпусу SOT23. Опір у стані провідності дорівнює 39мОм, що забезпечує ефективну роботу при низьких навантаженнях.

Керування та перемикання

Пристрій є уніполярним з каналом збагачення. Напруга затвор-джерело становить ±8В, а заряд затвора — 19нКл. Ці параметри визначають швидкість перемикання та енергоспоживання транзистора в схемах керування.

Комплектація та монтаж

У комплекті постачається 30 транзисторів TSM2323CX RFG. Пристрої призначені для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі SOT23. Така кількість зручна для серійного виробництва або ремонту електронних блоків, де використовується дана модель.