Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2314CX RFG, 20V, 4.9A, SOT23 (набір 30 шт.)
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM037387
Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2314CX RFG, 20V, 4.9A, SOT23 (набір 30 шт.)В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2314CX RFG — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана у компактному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається набором із 30 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 20 В
- Струм дрена: 4,9 А
- Потужність розсіювання: 0,8 Вт
- Опір у стані провідності: 33 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 30 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 20 В та струм дрена 4,9 А. Потужність розсіювання становить 0,8 Вт, а опір у стані провідності — 33 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±12 В, а заряд затвора дорівнює 14 нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴