Транзистор P-MOSFET TSM2309CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR, SOT23, -60В, -2А (40 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM079454
Транзистор P-MOSFET TSM2309CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR, SOT23, -60В, -2А (40 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET TSM2309CX RFG від TAIWAN SEMICONDUCTOR у корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць. Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а струм — -2 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, польовий
- Корпус: SOT23, поверхневий монтаж
- Максимальна потужність: 1,56 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Струм: -2 А
- Опір у відкритому стані: 240 мОм
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Прилад є польовим транзистором з каналом збагачення (enhancement mode). Максимальна потужність розсіювання дорівнює 1,56 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 240 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна. Заряд затвора становить 8,2 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.56 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴