Транзистор P-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2309CX RFG, SOT23, -60В, -2А (40 шт.)

Транзистор P-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2309CX RFG — це уніполярний компонент для електронних схем. Пакет містить 40 одиниць у корпусі SOT23 з монтажем SMD.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: -60 В
• Струм стоку: -2 А
• Потужність розсіювання: 1,56 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -60 В та струм стоку -2 А. Потужність розсіювання становить 1,56 Вт, а опір у відкритому стані — 0,24 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у компактному корпусі SOT23, що забезпечує поверхневий монтаж (SMD). Таке рішення підходить для щільного компонування друкованих плат.

Електричні характеристики каналу та керування затвором

Транзистор має канал збагаченого типу, що забезпечує надійне керування струмом. Заряд затвора становить 8,2 нКл, що впливає на швидкість перемикання компонента в схемах із високочастотним керуванням.