Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM05N03CW RPG, SOT223, 30V, 5A (30 шт.)
1 960 ₴
- В наявності
- Код: TM079452
Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM05N03CW RPG, SOT223, 30V, 5A (30 шт.)В наявності
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM05N03CW RPG — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Компонент виконаний у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається комплектом із 30 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 30 В
- Максимальний струм стіка: 5 А
- Опір у відкритому стані: 60 мОм
- Розсіювана потужність: 1,1 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектація: 30 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-виток 30 В та струм стіка 5 А. Опір у відкритому стані становить 60 мОм. Напруга затвор-виток може досягати ±20 В, а сумарний заряд затвора дорівнює 7 нКл.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність компонента становить 1,1 Вт. Компонент виконаний у корпусі SOT223 з монтажем SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Виробник | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 960 ₴