Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1120D, SO8, ESD, набір 10 шт.

Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1120D — це подвійний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Компонент виконаний у корпусі SO8 та має захист від електростатичного розряду (ESD). Позиція постачається набором із 10 штук.

• Подвійний P-MOSFET з каналом збагачення
• Корпус SO8 для поверхневого монтажу (SMD)
• Захист від електростатичного розряду (ESD)
• Струм дрена -0,53 А, у імпульсі до 7 А
• Напруга дрена-джерела -15 В
• Опір у провідному стані 0,18 Ом
• Набір із 10 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -15 В та струмом дрена -0,53 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає 7 А. Опір у провідному стані становить 0,18 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±15 В, а заряд затвора — 5,45 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SO8, що дозволяє використовувати його для поверхневого монтажу (SMD). Компонент має версію ESD (захист від електростатичного розряду). Транзистор є уніполярним (P-MOSFET).