
Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1100D, SO8, ESD, набір 20 шт.
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM021180
Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1100D — це уніполярний компонент для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. Пакет містить 20 одиниць із захистом від електростатичного розряду (ESD), що забезпечує надійність при роботі з чутливими схемами.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачуваний
- Максимальний струм дрена: -0,72 А (постійний), 7 А (імпульсний)
- Напруга дрена-джерела: -15 В
- Опір у стані провідності: 0,18 Ом
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Захист від електростатичного розряду (ESD)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела -15 В та струмом дрена -0,72 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 7 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах із короткочасними піковими навантаженнями. Опір у стані провідності становить 0,18 Ом, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.
Захист та монтаж
Компонент має версію ESD, що захищає вхідні ланцюги від пошкодження статичною електрикою під час монтажу та експлуатації. Тип монтажу SMD та корпус SO8 забезпечують компактне розміщення на друкованих платах. Напруга затвор-джерело ±15 В визначає діапазон керуючих сигналів для стабільної роботи транзистора.
Комплектація
Упаковка містить набір із 20 транзисторів TPS1100D, що зручно для серійного виробництва або ремонтних робіт. Така кількість дозволяє створити запас компонентів для кількох пристроїв або заміни виходу з ладу без додаткових закупівель.## Керуючі параметри та заряд затвораДля стабільної роботи транзистора важливо враховувати напругу затвор-джерело ±15 В, яка визначає допустимий діапазон керуючих сигналів. Заряд затвора становить 5,45 нКл, що впливає на швидкість перемикання та енергоспоживання схеми керування. Ці параметри забезпечують точне відкривання та закривання каналу при роботі з імпульсними навантаженнями.## Тип каналу та полярністьТранзистор є уніполярним P-MOSFET із збагачуваним каналом, що означає відсутність струму дрена при нульовій напрузі затвора. Така конфігурація забезпечує надійний вимкнений стан пристрою, коли керуючий сигнал відсутній. Це важливо для схем захисту та комутації, де потрібна гарантована відсутність витоку струму в режимі очікування.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Максимально допустима напруга затвор-висток | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 180 mOm |
| Тип транзизора | Польова |
- Ціна: 2 630 ₴
