Транзистор N-MOSFET Toshiba TK9J90E,S1E(S, 900V, 9A, 250W, TO3PN, набір 10 шт.)

Набір із 10 потужних N-MOSFET транзисторів Toshiba TK9J90E,S1E(S у корпусі TO3PN. Компоненти призначені для високовольтних схем із напругою до 900 В та струмом до 9 А, що робить їх оптимальним вибором для промислової електроніки та силових перетворювачів.

• Напруга дрена-джерела: 900 В
• Струм дрена: 9 А
• Розсіювана потужність: 250 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Набір: 10 транзисторів

Високовольтна стійкість

Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 900 В, що дозволяє використовувати їх у високовольтних інверторах та джерелах живлення. Така характеристика забезпечує надійну роботу обладнання в умовах підвищеного навантаження та захищає схему від пробоїв.

Потужність та струм

Максимальний струм дрена становить 9 А, а розсіювана потужність — 250 Вт. Це дозволяє транзисторам ефективно керувати значними навантаженнями без перегріву, що критично важливо для стабільності роботи силових модулів.

Зручний монтаж та корпус

Компоненти виконані у корпусі TO3PN із технологією монтажу THT (скрізь отвори). Таке рішення спрощує пайку та забезпечує механічну міцність з'єднання, що особливо цінно для серійного виробництва та ремонту промислового обладнання.

Економія часу при закупівлі

Товар постачається набором із 10 штук, що зручно для складання партій пристроїв або створення запасу компонентів. Це дозволяє оптимізувати процес закупівлі та забезпечити безперебійну роботу виробничих ліній.## Електричні параметри керуванняЗаряд входу становить 46 нК, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Напруга між затвором і витоком обмежена ±30 В, що визначає допустимі режими керування. Опір у відкритому стані дорівнює 1,3 Ом, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму.