Транзистор N-MOSFET Toshiba TK8P60W, 600В, 8А, DPAK (TK8P60W,RVQ) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK8P60W — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 600 В та струм 8 А, виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 600 В
• Струм стоку: 8 А
• Розсіювана потужність: 80 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Набір: 20 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор витримує напругу між витоком та стоком 600 В. Максимальний струм стоку становить 8 А, а розсіювана потужність — 80 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,5 Ом.

Корпус DPAK та монтаж SMD

Компонент виготовлений у корпусі DPAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Напруга затвор-виток обмежена ±30 В, а заряд затвора становить 18,5 нКл. Полярність транзистора — уніполярна.

Комплектація та символ виробника

Товар поставляється набором із 20 транзисторів. Символ виробника: TK8P60W,RVQ.