Транзистор N-MOSFET Toshiba TK8A50D, 500В, 8А, TO220FP (TK8A50D(STA4,Q,M)) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK8A50D — це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 500 В та струмом 8 А. Пакет TO220FP забезпечує компактне розміщення на платі та ефективне відведення тепла.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 500 В
• Струм дрена: 8 А (імпульсний до 32 А)
• Розсіювана потужність: 40 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Опір у стані провідності: 0,85 Ом
• Напруга затвор-джерело: ±30 В
• Комплект: 20 штук

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 500 В, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах високої потужності. Номінальний струм дрена становить 8 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 32 А, що забезпечує запас міцності при короткочасних перевантаженнях.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 40 Вт. Це дозволяє компоненту стабільно працювати в режимах, де виникають значні теплові навантаження, без ризику перегріву.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220FP, який поєднує компактні розміри з можливістю кріплення радіатора. Монтаж здійснюється методом THT (скрізь отвори), що є стандартним для багатьох промислових плат.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 0,85 Ом. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання транзистора під час роботи, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Комплектація

Увага: товар поставляється набором із 20 штук. Це вигідне рішення для серійного виробництва або ремонту великої кількості пристроїв.

Транзистор Toshiba TK8A50D призначений для інженерів та техніків, які потребують надійного N-MOSFET транзистора з високими параметрами напруги та струму для силових електронних схем.