Транзистор N-MOSFET Toshiba TK6A80E, 800В, 6А, TO220FP (TK6A80E,S4X (TK6A80E,S4X (TK6A80E,S4X(S) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK6A80E — це уніполярний напівпровідниковий прилад з напругою дрена-джерела 800 В та струмом дрена 6 А. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220FP, що забезпечує зручність для масового монтажу.

• Напруга дрена-джерела: 800 В
• Струм дрена: 6 А (імпульсний до 18 А)
• Потужність розсіювання: 45 Вт
• Корпус: TO220FP для вивідного монтажу
• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на робочу напругу дрена-джерела 800 В, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах високої потужності. Номінальний струм дрена становить 6 А, а імпульсний струм може досягати 18 А, що забезпечує надійність при короткочасних перевантаженнях.

Потужність та навантаження

Максимальна потужність розсіювання становить 45 Вт.

Зручний монтаж

Компонент призначений для вивідного монтажу (THT).

Електричні параметри керування

Напруга затвор-джерело становить ±30 В, що визначає допустимий діапазон керуючого сигналу. Заряд затвора дорівнює 32 нКл, а опір у стані провідності — 1,35 Ом. Канал транзистора є збагачуваним.