Транзистор N-MOSFET Toshiba TK6A65D, 650В, 6А, TO220FP (TK6A65D(STA4,Q,M)) — набір 10 шт.
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM037289
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK6A65D, 650В, 6А, TO220FP (TK6A65D(STA4,Q,M)) — набір 10 шт.В наявності
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK6A65D — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 6 А.## Монтаж та комплектація
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Постійний струм дрена: 6 А
- Імпульсний струм дрена: 24 А
- Розсіювана потужність: 45 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 650 В та постійним струмом дрена 6 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 24 А, а розсіювана потужність становить 45 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,95 Ом.
Керування затвором
Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В, а заряд затвора — 20 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 320 ₴