Транзистор N-MOSFET Toshiba TK650A60F, 600В, 11А, TO220FP (TK650A60F,S4X (TK650A60F,S4X — набір 20 шт.
2 910 ₴
- В наявності
- Код: TM021080
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK650A60F, 600В, 11А, TO220FP (TK650A60F,S4X (TK650A60F,S4X — набір 20 шт.В наявності
2 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK650A60F — це напівпровідниковий прилад для силових електронних схем. Модель розрахована на високу напругу та струм.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 11 А
- Імпульсний струм: 44 А
- Потужність розсіювання: 45 Вт
- Корпус: TO220FP
- Монтаж: THT
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 600 В, що дозволяє використовувати його в мережевих пристроях. Номінальний струм дрена становить 11 А, а імпульсний струм досягає 44 А. Це забезпечує надійну роботу в режимах пікових навантажень.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 45 Вт. Корпус TO220FP з монтажем THT.
Зручна комплектація
Товар постачається набором із 20 штук. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Напруга затвор-джерело становить ±30 В. Заряд затвора дорівнює 34 нКл. Опір у стані провідності — 0,54 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 540 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 910 ₴