Транзистор N-MOSFET Toshiba TK56E12N1, 120В, 56А, TO220AB, комплект 10 шт (TK56E12N1,S1X
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM079163
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK56E12N1, 120В, 56А, TO220AB, комплект 10 шт (TK56E12N1,S1XВ наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 10 транзисторів Toshiba TK56E12N1 типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виводами (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 120 В
- Струм стіка: 56 А
- Опір у відкритому стані: 5,8 мОм
- Розсіювана потужність: 168 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 120 В та максимальний струм стіка 56 А. Опір у відкритому стані становить 5,8 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 168 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220AB. Монтаж виконується у відвори друкованої плати (THT).
Комплектність
Комплект містить 10 ідентичних транзисторів Toshiba TK56E12N1.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 168 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 120 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 56 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴