Транзистор N-MOSFET Toshiba TK4A60DA, 600В, 3,5А, SC67 (TK4A60DA(STA4,Q,M)) — набір 30 шт.

Набір із 30 транзисторів Toshiba TK4A60DA — це N-MOSFET компоненти для електронних схем. Пристрої розраховані на напругу 600 В та струм 3,5 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга витоку-джерела: 600 В
• Струм витоку: 3,5 А
• Потужність розсіювання: 35 Вт
• Корпус: SC67
• Монтаж: THT (на плату)
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 600 В, а постійний струм витоку — 3,5 А. Потужність розсіювання обмежена 35 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані в корпусі SC67 з виводами для монтажу на друковану плату (THT).

Комплектація

У пакуванні міститься 30 транзисторів Toshiba TK4A60DA, що відповідає символу виробника TK4A60DA(STA4,Q,M). Заряд затвора становить 11 нКл, а опір у відкритому стані — 2,2 Ом. Максимальна напруга на затворі обмежена ±30 В.