Транзистор N-MOSFET Toshiba TK22E10N1, 100В, 22А, TO220AB, комплект 30 шт (TK22E10N1,S1X
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM037287
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK22E10N1, 100В, 22А, TO220AB, комплект 30 шт (TK22E10N1,S1XВ наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK22E10N1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 22 А
- Розсіювана потужність: 72 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплект: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 22 А. Максимальна розсіювана потужність становить 72 Вт.
Ключові характеристики
Опір у стані провідності дорівнює 11,5 мОм. Заряд затвора становить 28 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В. Канал збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 72 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴