
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK20A60W, 600V, 20A, TO220FP (TK20A60W,S5VX (TK20A60W,S5VX — набір 10 шт.
3 030 ₴
- В наявності
- Код: TM021078
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK20A60W — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом. Модель розрахована на високу напругу 600 В та струм 20 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з підвищеним каналом
- Максимальна напруга витоку-джерела: 600 В
- Максимальний струм витоку: 20 А
- Розсіювана потужність: 45 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,13 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- У комплекті: 10 шт.
Висока напруга та струм
Напруга між витоком та джерелом становить 600 В. Максимальний постійний струм витоку становить 20 А.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 45 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 0,13 Ом.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів. Напруга між затвором та витоком становить ±30 В. Заряд затвора дорівнює 48 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 030 ₴
