Транзистор N-MOSFET Toshiba TK160F10N1L, 100В, 160А, TO220SM (TK160F10N1L,LQ (TK160F10N1L,LQ — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK160F10N1L — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель має напругу 100 В та струм 160 А.

• Струм стоку 160 А для потужних силових ланцюгів
• Розсіювана потужність 375 Вт
• Низький опір у стані провідності 2,4 мОм
• Напруга стік-виток 100 В
• Корпус TO220SM для монтажу SMD
• Комплект із 10 транзисторів

Висока потужність та струм

Компонент витримує постійний струм стоку 160 А та розсіює потужність до 375 Вт.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 2,4 мОм.

Зручний монтаж SMD

Транзистор виконаний у корпусі TO220SM, що підтримує монтаж поверхонь (SMD).

Стабільна робота при високих напругах

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а напруга на затворі — ±20 В. Транзистор є уніполярним.

Комплект із 10 транзисторів. Заряд затвора становить 121 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.