Транзистор N-MOSFET Toshiba TK13P25D, 250В, 13А, DPAK, набір 30 шт (TK13P25D,RQ (TK13P25D,RQ
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM079158
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK13P25D, 250В, 13А, DPAK, набір 30 шт (TK13P25D,RQ (TK13P25D,RQВ наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 30 транзисторів Toshiba TK13P25D типу N-MOSFET у корпусі DPAK. Призначені для монтажу на поверхню плати (SMD) у електронних пристроях.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 250 В
- Струм дрена: 13 А
- Потужність розсіювання: 96 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має напругу дрена-джерела 250 В та струм дрена 13 А. Потужність розсіювання становить 96 Вт, а опір у провідному стані — 0,25 Ом. Заряд затвора дорівнює 25 нКл, напруга затвор-джерело — ±20 В.
Комплект поставки
Товар постачається набором із 30 транзисторів Toshiba TK13P25D.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 96 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 250 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴