Транзистор N-MOSFET Toshiba TK110P10PL, 100V, 60A, DPAK, 30 шт. (TK110P10PL,RQ(S2)
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM037285
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK110P10PL, 100V, 60A, DPAK, 30 шт. (TK110P10PL,RQ(S2)В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK110P10PL — це уніполярний компонент у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Постійний струм дрена: 60 А
- Імпульсний струм дрена: 160 А
- Розсіювана потужність: 75 Вт
- Опір у стані провідності: 16 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 60 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 160 А, а максимальна розсіювана потужність становить 75 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 16 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі DPAK, який призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакуванні знаходиться 30 транзисторів Toshiba TK110P10PL.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 75 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴