Транзистор N-MOSFET Toshiba TK10A60W5, 600 В, 9,7 А, SC67, комплект 10 шт (TK10A60W5,S5VX

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK10A60W5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі SC67 з виводами для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 600 В
• Струм стоку: 9,7 А
• Розсіювана потужність: 30 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,45 Ом
• Корпус: SC67, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Основні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 600 В та постійний струм стоку 9,7 А. Опір у відкритому стані становить 0,45 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 30 Вт.

Електричні характеристики затвора

Заряд затвора становить 25 нКл. Допустима напруга між затвором та витоком дорівнює ±30 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення (N-MOSFET). Заряд затвора становить 25 нКл.