Транзистор N-MOSFET Toshiba TK100E10N1, 100В, 100А, TO220AB (набір 10 шт.) (TK100E10N1,S1X
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM037284
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK100E10N1, 100В, 100А, TO220AB (набір 10 шт.) (TK100E10N1,S1XВ наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів Toshiba TK100E10N1 типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виведеннями (THT). Ключові параметри: напруга 100 В, струм 100 А, потужність розсіювання 255 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 100 В
- Струм стоку: 100 А
- Потужність розсіювання: 255 Вт
- Опір у стані провідності: 2,8 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а допустимий струм стоку — 100 А. Опір у стані провідності дорівнює 2,8 мОм.
Теплові та керуючі параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 255 Вт. Напруга затвор-виток обмежена ±20 В. Заряд затвора дорівнює 0,14 мкКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу — THT (through-hole technology).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 255 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴