
Транзистор ONSEMI TIP111G, NPN, Darlington, 80V, 2A, TO220AB, комплект 20 шт.
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM037266
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI TIP111G — це біполярний транзистор типу NPN зі схемою Дарлінгтона. У комплекті поставляється 20 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату.
- Тип транзистора: NPN, біполярний, Дарлінгтона
- Максимальна напруга колектор-емітер: 80 В
- Струм колектора: 2 А
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 80 В та струм колектора 2 А. Потужність розсіювання становить 2 Вт. Ці характеристики визначають робочий діапазон компонента в електричних схемах.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу — THT (скрізний монтаж), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати.
Комплектація
У пакуванні знаходиться 20 транзисторів TIP111G.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-еммітер | 80 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 2 А |
| Тип монтажа | Вставний |
| Тип транзизора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴
