Транзистор N-MOSFET Vishay SUP85N10-10-E3, 100В, 60А, TO220AB (5 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM037234
Транзистор N-MOSFET Vishay SUP85N10-10-E3, 100В, 60А, TO220AB (5 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SUP85N10-10-E3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, розроблений за технологією TrenchFET®. Комплект складається з 5 елементів у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Технологія виготовлення: TrenchFET®
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Максимальний струм дрена: 60 А
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Опір у стані провідності: 10,5 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та максимальний струм дрена 60 А. Потужність розсіювання становить 250 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 10,5 мОм, а заряд затвора — 105 нКл.
Корпус та монтаж
Елементи виконані у стандартному корпусі TO220AB. Монтаж здійснюється методом THT (through-hole technology), тобто виводи впаюються безпосередньо в отвори друкованої плати. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴