Транзистор N-MOSFET Vishay SUP10250E-GE3, 250В, 36,3А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUP10250E-GE3 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією TrenchFET®, призначений для комутації високих струмів. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220AB, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонтних робіт.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 250 В
• Струм стоку: 36,3 А
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Опір у відкритому стані: 32,5 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектація: 10 шт. у наборі

Висока потужність розсіювання

Транзистор має потужність розсіювання 125 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах без надмірного нагрівання. Такий показник важливий для стабільної роботи пристроїв під навантаженням, де потрібна ефективна віддача тепла через корпус TO220AB.

Ефективна комутація струму

Прилад витримує струм стоку до 36,3 А та напругу стік-виток 250 В, що робить його придатним для керування потужними навантаженнями. Низький опір у відкритому стані (32,5 мОм) мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.

Зручний монтаж та комплектація

Транзистори призначені для вивідного монтажу (THT), що спрощує процес встановлення на друковані плати. У комплекті постачається 10 шт., що є вигідним рішенням для майстрів та виробників, які потребують партії компонентів для збірки або заміни.## Керування затвором та зарядЗаряд затвора становить 88 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Максимальна напруга затвор-виток ±20 В визначає безпечний режим керування каналом. Ці параметри важливі для проектування схем керування, де стабільність сигналу на затворі критична для надійності роботи транзистора.## Уніполярна структура та канал збагаченняТранзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення, що забезпечує передбачувану поведінку при відкритті та закритті. Така структура дозволяє використовувати прилад у схемах із прямим керуванням, де потрібна чітка комутація струму. Збагачений канал гарантує, що транзистор закритий при нульовій напрузі на затворі, що підвищує безпеку експлуатації пристрою.