Транзистор N-MOSFET Vishay SUM90N10-8M2P-E3, 100В, 90А, D2PAK (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUM90N10-8M2P-E3 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі D2PAK (TO263) для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 5 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга стік-виток: 100 В
• Струм стоку: 90 А (постійний), 240 А (імпульсний)
• Опір у стані провідності: 17 мОм
• Розсіювана потужність: 300 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Технологія: TrenchFET®
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Технічні характеристики

Прилад є уніполярним N-канальним MOSFET з технологією TrenchFET®, що забезпечує низький опір у відкритому стані. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а постійний струм стоку — 90 А. У імпульсному режимі струм може досягати 240 А. Опір у стані провідності дорівнює 17 мОм.

Потужність та керування

Максимальна розсіювана потужність транзистора — 300 Вт. Напруга на затворі обмежена діапазоном ±20 В. Загальний заряд затвора становить 150 нКл.

Комплектація

У пакуванні знаходиться 5 транзисторів Vishay SUM90N10-8M2P-E3.