Транзистор N-MOSFET Vishay SUM70040E-GE3, 100V, 120A, 125W, D2PAK (набір 10 шт.)
3 520 ₴
- В наявності
- Код: TM021005
Транзистор N-MOSFET Vishay SUM70040E-GE3, 100V, 120A, 125W, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
3 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Vishay SUM70040E-GE3 із технологією TrenchFET®.
- Струм дрена 120 А для потужних навантажень
- Напруга дрена-джерела 100 В
- Потужність розсіювання 125 Вт
- Низький опір у відкритому стані 4 мОм
- Корпус D2PAK (TO263) для SMD монтажу
- Набір із 10 транзисторів
Висока потужність та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 120 А. Потужність розсіювання становить 125 Вт.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 4 мОм.
Зручний монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу (SMD).
Технологія TrenchFET®
Компонент виготовлений за технологією TrenchFET® від Vishay. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 76 нКл. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), а полярність — уніполярною.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 520 ₴