Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P10-43L-E3, TrenchFET, DPAK, 10 шт.

Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P10-43L-E3 — це уніполярний компонент технології TrenchFET® у корпусі DPAK (TO252). Комплект складається з 10 штук, що забезпечує стабільну роботу при напрузі -100 В та струмі до -37,1 А.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга дрена-джерела: -100 В
• Струм дрена: -37,1 А (постійний), -40 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 95 Вт
• Опір у стані провідності: 43 мОм
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Комплектація: 10 штук

Керування навантаженням

Транзистор працює з напругою дрена-джерела -100 В та постійним струмом дрена -37,1 А. Це дозволяє використовувати компонент у схемах із середнім та високим навантаженням. Потужність розсіювання становить 95 Вт, що вимагає належного відведення тепла від корпусу.

Енергоефективність та швидкість

Опір у стані провідності дорівнює 43 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи. Заряд затвора 160 нКл забезпечує швидке перемикання транзистора. Імпульсний струм дрена може досягати -40 А, що корисно для пускових струмів.

Компактний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252) для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє економити місце на друкованій платі та спрощує автоматизоване виробництво. Напруга затвор-джерело ±20 В визначає вимоги до драйвера керування.

Транзистор Vishay SUD50P10-43L-E3 підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних P-MOSFET для силових схем. Комплект із 10 штук зручний для прототипування та серійного виробництва.