Транзистор N-MOSFET Vishay SUD50N04-8M8P-4GE3, 40V, 14A, DPAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUD50N04-8M8P-4GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 40 В та струмом стоку 14 А. Поставляється набором із 10 штук у корпусі DPAK (TO252) для монтажу на поверхню (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Технологія виготовлення: TrenchFET®
• Максимальна напруга стік-витік: 40 В
• Струм стоку: 14 А (імпульсний до 100 А)
• Опір у відкритому стані: 8,8 мОм
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та постійний струм стоку 14 А. Імпульсний струм може досягати 100 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 8,8 мОм.

Теплові характеристики та монтаж

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 30,8 Вт. Компонент має корпус DPAK (TO252) та призначений для поверхневого монтажу (SMD). Загальний заряд затвора дорівнює 56 нКл.