
Транзистор N-MOSFET Vishay SUD23N06-31-GE3, 60В, 17,1А, DPAK (комплект 20 шт.)
2 600 ₴
- В наявності
- Код: TM021003
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SUD23N06-31-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK (TO252) із технологією TrenchFET®, що забезпечує низький опір у відкритому стані. Комплект складається з 20 одиниць, що зручно для серійного монтажу та прототипування.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 17,1 А
- Опір у стані провідності: 45 мОм
- Потужність розсіювання: 31,25 Вт
- Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 60 В та постійний струм дрена 17,1 А. Потужність розсіювання становить 31,25 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із середнім навантаженням. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Низькі втрати та ефективність
Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 45 мОм. Заряд затвора — 17 нКл.
Зручність монтажу та комплектація
Компонент має корпус DPAK (TO252) для поверхневого монтажу (SMD). У пакуванні міститься 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 31.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 17.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 600 ₴
