Транзистор N-MOSFET Vishay SUD15N15-95-E3, 150В, 15А, DPAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUD15N15-95-E3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, розроблений для комутації струму до 15 А при напрузі 150 В. Компонент виготовлений за технологією TrenchFET® у корпусі DPAK (TO252) для поверхневого монтажу (SMD). Пропонується у комплекті з 10 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 150 В
• Струм стоку: 15 А (імпульсний до 25 А)
• Розсіювана потужність: 62 Вт
• Опір у стані провідності: 0,25 Ом
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Технологія: TrenchFET®
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу між стоком та витоком (Vds) до 150 В, що дозволяє використовувати його в мережах із підвищеною напругою. Номінальний струм стоку становить 15 А, а імпульсний струм може досягати 25 А, забезпечуючи запас міцності при пікових навантаженнях.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність компонента дорівнює 62 Вт. Це важливо для стабільної роботи пристроїв під час тривалих циклів комутації, оскільки корпус DPAK ефективно відводить тепло від кристала на друковану плату.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 0,25 Ом. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання транзистора під час роботи, що підвищує загальний ККД електронного пристрою.

Керування та заряд затвора

Максимальна напруга між затвором та витоком становить ±20 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу. Заряд затвора дорівнює 25 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Ці параметри важливі для стабільної роботи схеми керування та мінімізації втрат на перемикання. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі DPAK (TO252), що спрощує автоматизацію процесу пайки. Увага: товар продається набором із 10 транзисторів, що оптимізує логістику для майстерень та інженерів.