Транзистор P-MOSFET Vishay SUD09P10-195-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM037231
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD09P10-195-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD09P10-195-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі DPAK (TO252). Комплект поставки включає 20 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: -100 В
- Струм дрена: -8,8 А (постійний), -15 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 32,1 Вт
- Опір у стані провідності: 0,195 Ом
- Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -100 В та постійний струм дрена -8,8 А. У імпульсному режимі струм дрена може досягати -15 А. Максимальна розсіювана потужність становить 32,1 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Опір та заряд затвора
Опір у стані провідності становить 0,195 Ом. Загальний заряд затвора становить 34,8 нКл.
Технологія та корпус
Транзистор виготовлений за технологією TrenchFET®. Корпус DPAK (TO252) призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 32.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 195 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴