Транзистор STMicroelectronics STY60NM50 N-MOSFET 500V 37.8A MAX247
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM078987
Транзистор STMicroelectronics STY60NM50 N-MOSFET 500V 37.8A MAX247В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор STMicroelectronics STY60NM50 — це силовий N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Пристрій виконаний у корпусі MAX247 із технологією MDmesh™ та має вбудований захист від електростатичного розряду (ESD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 500 В
- Струм стіка: 37,8 А
- Розсіювана потужність: 560 Вт
- Опір у відкритому стані: 50 мОм
- Корпус: MAX247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™, захист ESD
Електричні параметри та потужність
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та постійний струм стіка 37,8 А. Опір у відкритому стані становить 50 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 560 Вт. Напруга затвор-витік становить ±30 В.
Монтаж та корпус
Компонент призначений для встановлення в отвори друкованих плат (THT). Корпус MAX247. Наявність версії ESD. Використовується технологія MDmesh™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 560 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 37.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Корпус | MAX247 |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴