Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW8NK80Z, 800В, 3,9А, TO247 (набір 10 шт.)
3 110 ₴
- В наявності
- Код: TM021001
Набір із 10 транзисторів STMicroelectronics STW8NK80Z типу N-MOSFET у корпусі TO247. Компоненти призначені для роботи з напругою до 800 В та струмом 3,9 А, що робить їх придатними для силових електронних схем.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 3,9 А
- Розсіювана потужність: 140 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистори розраховані на напругу дрена-джерела 800 В та розсіювану потужність 140 Вт. Це дозволяє використовувати їх у високовольтних інверторах та імпульсних джерелах живлення. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В, що забезпечує надійне керування ключем.
Технологія SuperMesh™ та опір
Компоненти виготовлені за технологією SuperMesh™, яка оптимізує структуру кристала для зниження втрат. Опір у стані провідності становить 1,5 Ом. Така характеристика важлива для мінімізації нагрівання під час роботи у відкритому стані.
Комплектація
Компоненти виконані у стандартному корпусі TO247 з вивідним монтажем (THT), що забезпечує надійне кріплення на платі та ефективне відведення тепла.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | SuperMesh™ |
- Ціна: 3 110 ₴