Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW7NK90Z, 900В, 3,65А, 140Вт, TO247 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW7NK90Z — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під високим навантаженням. Комплект із 10 штук забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту обладнання. Корпус TO247 та технологія SuperMesh™ гарантують ефективне відведення тепла та стабільну роботу при напрузі до 900 В.

• Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-джерело 900 В
• Струм стіка 3,65 А
• Потужність розсіювання 140 Вт
• Корпус TO247 з монтажем THT
• Технологія SuperMesh™ для ефективності

Високовольтний режим роботи

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 900 В та постійний струм стіка 3,65 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних імпульсних джерелах живлення та інверторах. Висока напруга пробою забезпечує надійну ізоляцію в складних електричних схемах.

Тепловий режим та монтаж

Потужність розсіювання становить 140 Вт, що вимагає належного охолодження. Корпус TO247 з монтажем THT (через отвори) забезпечує механічну міцність та зручність кріплення радіатора. Така конструкція важлива для пристроїв, що працюють у тривалому режимі під навантаженням.

Опір та технологія SuperMesh™

Використання технології SuperMesh™ оптимізує структуру кристала для зниження втрат при перемиканні. Це сприяє підвищенню ККД пристрою та зменшенню нагрівання компонентів. Низький опір у стані провідності (2 Ом) мінімізує теплові втрати на самому транзисторі.

Комплектація та застосування

У набір входить 10 транзисторів, що зручно для прототипування або заміни кількох компонентів одночасно. Уніполярна структура та канал збагачення спрощують схемотехнічне рішення. Максимальна напруга затвор-джерело ±30 В визначає вимоги до драйвера керування та захищає кристал від перенавантаження.