Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM6-4, 600В, 39А, TO247-4 (3 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM078985
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM6-4 — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором, призначений для роботи в електричних колах із напругою до 600 В. Комплект складається з трьох компонентів у корпусі TO247-4 для монтажу в отвори (THT).
- Напруга стік-виток: 600 В
- Постійний струм стіка: 39 А
- Імпульсний струм: 220 А
- Розсіювана потужність: 390 Вт
- Опір у відкритому стані: 42 мОм
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Комплект: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-виток 600 В та постійний струм стіка 39 А. Імпульсний струм може досягати 220 А, а розсіювана потужність становить 390 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 42 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна. Монтаж здійснюється методом виведень (THT). Версія ESD вказує на захист від електростатичного розряду.
Комплектація
У комплекті постачається 3 транзистори STW70N60DM6-4. Напруга затвор-виток становить ±25 В. Заряд затвора дорівнює 99 нКл. Канал транзистора — збагачуваний.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 390 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 39 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
- Ціна: 2 060 ₴