Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM2, 600V, 42A, TO247 (3 шт.)
2 760 ₴
- В наявності
- Код: TM020997
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM2 — це уніполярний прилад із технологією MDmesh™ DM2, призначений для потужних комутаційних застосувань. Комплект складається з 3 транзисторів у корпусі TO247, що забезпечує зручний монтаж на плату.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 42 А
- Розсіювана потужність: 446 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ DM2
- Комплектація: 3 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 42 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах та джерелах живлення, де потрібна надійна комутація значних навантажень.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 446 Вт. Такий показник свідчить про високу термічну стійкість компонента, що важливо для стабільної роботи пристроїв під час тривалих навантажень.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності становить 37 мОм. Цей показник мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 446 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 42 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 37 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
- Ціна: 2 760 ₴