Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW69N65M5, 650В, 36,5А, TO247 (2 шт.)
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM078984
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW69N65M5, 650В, 36,5А, TO247 (2 шт.)В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW69N65M5 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 2 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 36,5 А
- Потужність розсіювання: 330 Вт
- Опір у відкритому стані: 37 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектація: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 36,5 А. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента. Потужність розсіювання становить 330 Вт.
Технологія та опір
Компонент виготовлений за технологією MDmesh™ V. Опір у відкритому стані становить 37 мОм. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±25 В.
Комплектація
У комплекті поставляється 2 транзистори. Корпус TO247 та тип монтажу THT (скрізний монтаж) передбачають встановлення компонента в отвори друкованої плати.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 36.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 37 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmeshTM В |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴