Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW65N80K5, 800В, 30А, TO247 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW65N80K5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи у високовольтних схемах. Комплект складається з двох елементів у корпусі TO247, що забезпечує зручний монтаж на плату.

• Напруга дрена-джерела: 800 В
• Постійний струм дрена: 30 А
• Імпульсний струм дрена: 184 А
• Розсіювана потужність: 446 Вт
• Опір у стані провідності: 70 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Комплектація: 2 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 30 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових перетворювачах та імпульсних блоках живлення, де потрібна стабільна робота під значним навантаженням.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм дрена до 184 А та має розсіювану потужність 446 Вт. Такі характеристики важливі для схем із різкими перемикальними режимами, де транзистор повинен витримувати короткочасні пікові навантаження без пошкодження.

Низький опір та швидке перемикання

Опір у стані провідності становить 70 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Заряд затвора 92 нКл сприяє ефективному керуванню, забезпечуючи швидке відкривання та закривання каналу.

Надійне керування затвором

Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В, що визначає допустимий діапазон керуючих сигналів. Дотримання цього параметра гарантує стабільну роботу транзистора та захищає його від пошкодження ізолятора затвора під час експлуатації.